BSI CMOS

Struktura BSI CMOS čipu, kde je oproti klasickému CMOS fotocitlivá vrstva přesunuta před tranzistory a kovové obvody

CMOS snímač se zpětným osvětlením, zkráceně BSI CMOS (z ang. BackSide-Illumination). Jde o technologii upravující stávající způsob výroby fotocitlivých CMOS čipů. Ve standardních CMOS čipech je totiž fotocitlivá vrstva uložena až za tranzistory a kovovými obvody. To způsobuje, že na fotocitlivou vrstvu dopadá méně světla, což zapříčinilo jejich vytlačení CCD čipy.


From Wikipedia, the free encyclopedia · View on Wikipedia

Developed by Tubidy